[发明专利]输出MOS晶体管的过电压保护电路有效

专利信息
申请号: 200410083206.1 申请日: 2004-09-29
公开(公告)号: CN1604474A 公开(公告)日: 2005-04-06
发明(设计)人: 中原明宏 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;陆弋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 过电压保护电路用于输出MOS晶体管和负载串联在第一电源和第二电源之间的电路。过电压保护电路包含控制信号电路、动态箝位电路、控制开关和电涌检测电路。控制信号电路连接在所述输出MOS晶体管的栅极和所述负载之间,而动态箝位电路连接所述输出MOS晶体管的所述栅极。控制开关连接在所述第一电源和所述动态箝位电路以及电涌检测电路之间,该电涌检测电路监视所述第一电源的电压并在所述第一电源的电压升高到比预定电压高的电压时断开所述控制开关。
搜索关键词: 输出 mos 晶体管 过电压 保护 电路
【主权项】:
1、一种用于输出MOS晶体管和负载串联在第一电源和第二电源之间的电路的过电压保护电路,包括:与所述输出MOS晶体管的所述栅极相连的动态箝位电路;连接在所述第一电源和所述动态箝位电路之间的控制开关;和电涌检测电路,监视所述第一电源的电压并当所述第一电源的电压升高到比预定电压高的电压时断开所述控制开关。
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