[发明专利]制作晶片背面内连接导线的方法无效
| 申请号： | 200410082464.8 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1753163A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 邵世丰;杨辰雄;彭新亚 | 申请（专利权）人： | 探微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 首先提供一晶片，该晶片利用一上盖晶片加以保护，且包括至少一电路元件以及至少一金属连接垫。接着于该晶片背面形成一屏蔽层，并利用该屏蔽层进行一第一蚀刻工艺，以去除未被该屏蔽层遮蔽的该晶片以形成一圆弧形状的缺口。之后去除该屏蔽层，并进行一第二蚀刻工艺以暴露出该金属连接垫。最后于该晶片背面形成一内连接导线。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 晶片 背面 连接 导线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作晶片背面内连接导线的方法，该晶片具有一晶片正面与一晶片背面，且该晶片包括至少一设置于该晶片正面的电路元件以及至少一设于该晶片正面并与该电路元件电连接的连接垫，该方法包括：于该晶片背面形成一屏蔽层，且该屏蔽层包括至少一与该连接垫相对应的开口；利用该屏蔽层由该晶片背面进行一第一蚀刻工艺，以去除未被该屏蔽层遮蔽的该晶片以形成一缺口；去除该屏蔽层；以及于该晶片背面形成一内连接导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
