[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410081801.1 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1665027A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 谷江尚史;久野奈柄;太田裕之;池田博明;安生一郎;片桐光昭;渡边祐二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/10 | 分类号： | H01L25/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片2叠层到叠层起来的多个半导体元件1的上面。在多个半导体元件1的下面，配置Si内插板3和树脂基板内插板4。Si内插板3配置在树脂内插板4与多个半导体元件1之间，厚度比半导体元件1的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板4的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件1的线膨胀系数的线膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有叠层状态的多个半导体元件，这些半导体元件中的至少一个半导体元件用贯通电极与其它半导体元件形成导通，其特征在于：上述半导体器件具备接口芯片，该接口芯片叠层于上述叠层状态的多个半导体元件的上面或下面并且成为外部与上述半导体元件之间的接口。
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