[发明专利]氮化镓系发光二极管

摘要

本发明涉及一种氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管最主要的差异是，利用氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)形成的短周期(ShortPeriod)超晶格(Superlattice)结构、和氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓(AlGaInN)形成的短周期超晶格结构中的一种，形成位于p型接触层上的薄层。在该薄层上，由于其氮化硅材质的成长，使得氮化镓系发光二极管的表面被微粗化。这样，可以避免氮化镓系发光二极管比空气具有高的折射率导致内部全反射，进而提升氮化镓系发光二极管的外部量子效率以及发光效率。

主权项

1.一种氮化镓系发光二极管，其包括：基板，其是由氧化铝单晶、6H-SiC、4H-SiC、Si、ZnO、GaAs、尖晶石(MgAl2O4)和晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物所制成；缓冲层，其位于该基板的一个侧面上，由具有特定组成的氮化铝镓铟(AlaGabIn1-a-bN，0≤a，b＜1，a+b≤1)所构成；n型接触层，其位于该缓冲层上，由氮化镓系材质所构成；主动层，其位于该n型接触层上，且覆盖部份该n型接触层的上表面，由氮化铟镓所构成；负电极，其位于该n型接触层未被该主动层覆盖的上表面上；p型被覆层，其位于该主动层上，由p型氮化镓系材质所构成；p型接触层，其位于该p型被覆层上，由p型氮化镓所构成；微粗化薄层，其位于该p型接触层上，由氮化硅(SiN)、氮化硅与未掺杂的氮化铟镓(InGaN)组成的短周期超晶格结构、以及氮化硅与未掺杂的氮化铝铟镓(AlGaInN)组成的短周期超晶格结构三种材料中的一种所构成；透明导电层，其是位于该微粗化薄层上、且覆盖其部份表面的金属导电层或者透明氧化层，该金属导电层是由Ni/Au合金、Ni/Pt合金、Ni/Pd合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Cr/Au合金、Ni/Au/Be合金、Ni/Cr/Au合金、Ni/Pt/Au合金、Ni/Pd/Au合金中的一种所构成，该透明氧化层是由ITO、CTO、ZnO：Al、ZnGa2O4、SnO2：Sb、Ga2O3：Sn、AgInO2：Sn、In2O3：Zn、CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2、SrCu2O2中的一种所构成；以及正电极，其位于该微粗化薄层上的未被该透明导电层覆盖的表面上，由Ni/Au合金、Ni/Pt合金、Ni/Pd合金、Ni/Co合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Ti/Au合金、Cr/Au合金、Sn/Au合金、Ta/Au合金、TiN、TiWNx(x≥0)、WSiy(y≥0)中的一种所构成。