[发明专利]硅化金属栅极晶体管的结构和方法有效
| 申请号： | 200410076817.3 | 申请日： | 2004-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1627486A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·B·多丽丝;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L29/772;H01L29/786;H01L21/8234;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造具有金属栅极结构的场效应管(FET)的结构和方法。金属栅极结构在先前牺牲栅极占据的电介质区的孔中形成。金属栅极结构包括接触衬底半导体区上形成的栅电介质的第一层。第一层包括从金属和金属化合物组成的组中选择的材料。栅极还包括在第一层上形成的硅化物。FET还包括在栅极相对侧形成的源区和漏区，源区和漏区在形成栅极的第一层后进行硅化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有金属栅极结构的场效应管(FET)的方法，包括：在先前由牺牲栅极占据的电介质区的孔中形成金属栅极结构，该金属栅极结构包括：第一层，所述第一层包括从金属和金属化合物组成的材料组中选出的一种或多种材料，所述第一层接触栅电介质，所述栅电介质接触衬底的半导体区中形成的晶体管沟道区；以及在所述第一层上面的上层硅化物层；以及在所述金属栅极结构的相对侧形成的源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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