[发明专利]用于硅上液晶器件的铝化学机械抛光回蚀

摘要

一种制造LCOS器件的方法。包括提供一个具有表面区域的衬底，形成一个覆盖在表面区域上的中间电介质层，图案化中间电介质层以形成复数个凹陷区域，每个凹陷区域对应于LCOS器件的一个像素，在每个凹陷区域中沉积铝材料或铝合金材料，形成覆盖在铝材料上的光掩模，图案化光掩模以暴露出对应于凹陷区域的区域并保护对应于凹陷区域的边界区域的区域，去除铝材料的暴露区域直到铝材料已被去除至边界区域的上部区域附近，然后剥离图案化的光掩模以暴露出围绕图案化的凸出的铝材料。所述方法在使用边界区域作为刻蚀停止层的同时，微接触抛光凸出的铝材料和图案化的铝材料的多个部分，以平坦化图案化的铝材料和边界区域形成的上部表面区域。

主权项

1.一种制造硅上液晶显示器件的方法，所述方法包括：提供一个具有表面区域的衬底；形成一个覆盖在所述衬底的所述表面区域之上的中间电介质层；图案化所述中间电介质层以形成复数个凹陷区域，每个所述凹陷区域对应于硅上液晶器件的一个像素，每个所述凹陷区域都由为每个所述凹陷区域定义边界的电介质材料的一部分来进行隔离，每个所述边界区域形成围绕每个凹陷区域的外围区域；在每个所述凹陷区域中沉积铝材料或铝合金材料，以填充每个所述凹陷区域并覆盖所述边界区域的暴露部分；形成覆盖在所述铝材料上的光掩模；图案化所述光掩模以暴露出对应于所述凹陷区域的区域并保护对应于所述边界区域的区域；使用刻蚀工艺去除所述铝材料的暴露区域，同时使用所述光掩模保护对应于所述边界区域的所述区域；继续使用所述刻蚀工艺的所述去除步骤，直到所述铝材料已被去除至所述边界区域的上部区域附近；剥离所述图案化的光掩模以暴露出凸出的铝材料，所述凸出的铝材料围绕所述图案化的铝材料；以及在使用所述边界区域作为刻蚀停止层的同时，微接触抛光所述凸出的铝材料和所述图案化的铝材料的多个部分，以平坦化所述图案化的铝材料和所述边界区域形成的上部表面区域；其中每个所述边界区域的特征在于厚度为约1微米或更小。