[发明专利]有机场效应管的取向层及其形成方法和应用无效
| 申请号： | 200410066234.2 | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1588668A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 许军;黄维;张天翼 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/20;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;沈云 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于有机场效应管(OFET)的取向层，一种用来形成该种取向层的方法，一种使用该种取向层作为绝缘层，从而提高有机场效应管载流子迁移率的新型器件。该取向层(绝缘层)可进行离子束轰击取向处理。在该取向层上可形成具有良好分子取向的有机半导体层。根据本发明，通过对该取向层作取向处理，改善了有机半导体层的分子取向性，使采用该取向层的OFET的载流子迁移率特性得到了改善。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 场效应 取向 及其 形成 方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一个用于有机场效应管的取向层，其特征在于所用材料为有机聚合物聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酸，或无机材料类金刚石，其表面经由离子束轰击取向处理，并形成有有机半导体传输层。
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