[发明专利]具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法无效
| 申请号： | 200410065875.6 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1797709A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 傅竹西;朱俊杰;姚然;林碧霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体薄膜材料，特别涉及宽禁带半导体材料。它包括衬底、过渡层和ZnO外延层，其过渡层是在Si基片上利用硅烷和丙烷作为反应源生长形成的SiC膜层，该层厚度为0.005－3微米。制备方法包括清洗Si基片、制备SiC过渡层及ZnO薄膜，制备SiC过渡层是在去除表面氧的Si基片上，利用硅烷和丙烷作为反应源，在氢气氛、压力大于2000帕真空、1200－1400℃温度环境中生长形成SiC膜层。本发明减少了晶格失配和热胀系数失配造成的晶格缺陷，提高了在Si基上制备的ZnO薄膜的结晶质量；同时利用SiC击穿场强高的优点，有望开拓ZnO基的新型光电材料。两次外延技术较为成熟，成本相对比较低廉，易实现产业化。ZnO/SiC/Si薄膜比在Si基片上直接外延ZnO薄膜的结晶程度有了很大的提高，紫外发光强度也大大增强。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有硅衬底的氧化锌薄膜，包括衬底、过渡层和ZnO外延层，其特征在于，所述的过渡层是在Si基片上利用硅烷和丙烷作为反应源生长形成的SiC膜层，该层厚度为0.005-3微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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