[发明专利]半导体读出电路无效

专利信息
申请号: 200410061527.1 申请日: 2004-12-27
公开(公告)号: CN1637951A 公开(公告)日: 2005-07-13
发明(设计)人: 森川佳直 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰;叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体读出电路配备:在读出存储于存储单元中的信息之前,将连接在存储单元中的位线BL充电到规定的预充电电压的预充电电路(5);控制位线BL的电压,使之成为规定电压的反馈型偏置电路(2);通过反馈型偏置电路(2)的传输门(20),放大并检测连接在位线(BL)上的读出输入节点(N1)的电压变化的读出放大器(4);以及对读出输入节点(N1)充电的负载电路(3)。该负载电路(3)在预充电电路(5)被激活的预充电期间的至少结束之前的预定期间的期间未被激活,在预充电期间结束后被激活。
搜索关键词: 半导体 读出 电路
【主权项】:
1、一种半导体读出电路,其特征在于:配备:在读出存储于存储单元中的信息前,将连接在上述存储单元中的位线充电到规定的预充电电压的预充电电路;进行控制使上述位线的电压成为规定电压的反馈型偏置电路;通过上述反馈型偏置电路的传输门,放大并检测连接在上述位线上的读出输入节点的电压变化的读出放大器;以及对上述读出输入节点充电的负载电路,上述负载电路在上述预充电电路激活的预充电期间的至少结束之前的一定期间的期间不被激活,在上述预充电期间结束后被激活。
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