[发明专利]元件衬底和发光器件有效
申请号: | 200410060002.6 | 申请日: | 2004-06-18 |
公开(公告)号: | CN1574385A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 福本良太;安西彩;山崎优;纳光明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L51/30;H05B33/00;G09G3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;梁永 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 无须降低开关晶体管的关态电流,就能够使由驱动晶体管特性变化所造成的象素之间发光元件的亮度变化更小和由布线数增加所造成的制造步骤风险更少。用于象素发光或不发光的视频信号,通过开关晶体管输入到与驱动晶体管串联连接的工作于线性区的电流控制晶体管的栅。由于电流控制晶体管源与漏之间的电压Vds小,故其栅与源之间的电压Vgs小的变化不影响负载中流动的电流。发光元件中流动的电流由工作于饱和区的驱动晶体管确定,因而在光发射过程中,固定的电位被输入到其栅。 | ||
搜索关键词: | 元件 衬底 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件,它包含:扫描线;与扫描线相交的信号线;第一至第n电源线;第一电源;第二电源;以及多个象素,其中该多个象素中的每个包含:发光元件;电连接到第二电源的第一晶体管;以及电连接到信号线的第二晶体管;其中,第一电源、第一晶体管、第二晶体管、以及发光元件被串联电连接,其中,第一晶体管的栅电极的第一区被电连接到第k电源线,其中,第一晶体管的栅电极的第二区被电连接到第(k+1)电源线,其中,n是自然数,且其中,k是小于n的自然数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410060002.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:废气测量装置
- 下一篇:载流子迁移率提高的双栅极晶体管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的