[发明专利]半导体器件制造方法以及激光辐照设备有效
| 申请号： | 200410058844.8 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1581440A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 下村明久;古山将树;小路博信 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/8234;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种制造结晶半导体膜的方法，它包含：利用用来促进晶化的金属元素进行晶化以便控制取向的步骤，以及辐照一次激光以便形成具有以规则间距排列在网格图形中的小晶粒的结晶半导体膜的步骤。在根据上述目的提出的本发明中，以借助于将用来促进晶化的金属元素加入到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜并将其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照到其上的方式，及在结晶半导体膜表面上形成网格图形。半波片或镜被用作用来控制偏振方向的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 激光 辐照 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：将用来促进晶化的含有金属的材料加入到非晶半导体膜，借助于加热非晶半导体膜而形成结晶半导体膜，以及用其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照半导体膜，以便在结晶半导体膜表面上形成网格间距几乎等于脉冲激光发射波长的脊的网格图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
