[发明专利]自由倾斜的叠层电容器的制造方法有效
| 申请号： | 200410058690.2 | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1655339A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 金大焕;许民;申东原;李炳铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/82;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 对于制造自由倾斜的叠层电容器，通过材料层形成开口，材料层包括从开口底部转移的支撑材料层。在每个开口内形成用于各个电容器的各个第一电极。构图支撑材料层，以形成围绕第一电极的支撑结构。围绕第一电极的露出顶部形成掩模隔片，以及刻蚀掉支撑材料的露出部分以形成支撑结构。这种叠层电容器应用在DRAM(动态随机存取存储器)中。 | ||
| 搜索关键词： | 自由 倾斜 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造电容器的方法，包括：A、通过材料层形成开口，该材料层包括从开口的底部转移的支撑材料层；B、在每个开口内形成用于各个电容器的各个第一电极；以及C、在步骤B之后构图支撑材料层，以形成围绕第一电极的支撑结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
