[发明专利]适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统有效
| 申请号： | 200410058034.2 | 申请日： | 2004-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1734729A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 魏珂;和致经;刘新宇;刘健;吴德馨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;B32B15/01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件Al/Ti/Al/Pt/Au新型欧姆接触合金系统。提出一种新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Pt/Au。该合金欧姆接触系统在660－760度范围内，合金时间在20－60秒范围内获得理想的一致的欧姆接触。并得到比较理想的合金形貌，该发明的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。这些优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 氮化 器件 欧姆 接触 系统 | ||
【主权项】：
1.一种新结构的欧姆接触系统，其特征在于，欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的的AlTiAlPtAu结构，与AlGaN组成金半界面的是Al。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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