[发明专利]电阻性装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410057878.5 | 申请日： | 2004-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1591896A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | S·庞普 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L27/00;H01C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种电阻性装置，包括半导体材料所制成之电阻区域(10)，其包括一第一区域(22)以及一第二区域(24)，其中该第一区域(22)具有比该第二区域(24)高之掺质浓度，且其中经过该第一区域(22)之电流路径之决定电阻值之宽度(B)系由该第一区域(22)与该第二区域(24)之间之掺质边界(26)之部分(30)所决定。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻性装置，包括：一电阻区域(10)用半导体材料所制成，包括一第一区域(22)以及一第二区域(24)，其中该第一区域(22)具有比该第二区域(24)高之掺质浓度；以及其中经过该第一区域(22)之一电流路径之一决定电阻值之宽度(B)系由该第一区域(22)与该第二区域(24)之间之一掺质边界(26)之一部份(30)所决定。
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