[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号: | 200410057593.1 | 申请日: | 2004-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN1591816A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
| 发明(设计)人: | 高木善则;水野博喜 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;B25J15/06 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 经志强;潘志坤 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种即使在基板大型化的情况下也能够很好地将基板吸附到基板安置部上的同时、可以很好地将吸附在基板安置部上的基板取下的基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置,在固定面的表面上形成栅格状的多个吸附槽(75)的每一个,在栅格结点(76)处连接。栅格结点(76)中的一部分与吸附孔(72)连通。吸附孔(72)经由配管与真空泵连通连接。端缘部升降销(71a)与中央部升降销(71b),可独立地自由升降。由此,在固定面上不必设置大量的吸附孔,就可以将方形基板(W)的下表面的整个面吸附。此外,可以从方形基板(W)的中央部附近向端缘部方向将基板吸附在固定面上。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种基板处理装置,对基板实施规定的处理,其特征在于,包括:吸附装置,吸附固定在基板安置部的吸附面上安置的前述基板;升降装置,在前述吸附面的位置与前述吸附面的上方的基板交接位置之间使前述基板升降,具有:第一支撑部,支撑前述基板的端缘部附近并使其升降;第二支撑部,支撑前述基板的中央部附近,独立于前述第一支撑部而自由升降,前述吸附装置包括:多个吸附槽,设置在前述吸附面上,在整体上、或者划分成多个区域而在各个区域内相互连通;多个吸附孔,与前述多个吸附槽连接的同时,贯穿前述基板安置部;排气装置,与前述多个吸附孔连通连接,对前述吸附面附近进行排气,前述多个吸附槽中,用于前述基板端缘部附近的吸附的端缘部吸附槽彼此之间的槽间隔,比用于前述基板中央部附近的吸附的中央部吸附槽彼此之间的槽间隔窄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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