[发明专利]有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法有效
| 申请号： | 200410054559.9 | 申请日： | 2001-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1554975A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 辻村隆俊;德弘修;三和宏一;师冈光雄 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的a－Si层；沉积在a－Si层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第1和第2部分的ITO膜，这第1部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使a－Si膜介入这二者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造有源矩阵基片的方法，在该有源矩阵基片中的源极、漏极、半导体层、栅绝缘膜和栅极直接或间接地顺序沉积在绝缘基片上，该方法包括如下步骤：使用抗蚀剂掩膜对所述栅绝缘膜上沉积的栅金属形成图案；使用所述形成图案的栅金属作为掩膜对所述栅绝缘膜和所述半导体层形成图案；形成ITO膜并使用抗蚀剂掩膜对该ITO膜形成图案；以及使用所述形成图案的ITO膜作为掩膜对所述栅极形成图案。
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