[发明专利]一种有机场效应管取向层及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 200410054198.8 申请日: 2004-09-01
公开(公告)号: CN1588667A 公开(公告)日: 2005-03-02
发明(设计)人: 许军;李岩川;黄维 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;H01L51/20;H01L51/40
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;沈云
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用于有机场效应管的取向层,一种用来形成该种取向层的方法和一种使用该取向层作为绝缘层,从而提高有机场效应管(OFET)载流子迁移率的新型器件方法。该取向层由聚酰亚胺(PI)类聚合物制成,并经过光取向处理。根据本发明,在PI取向层上取得了良好的取向效果,可以改善有机半导体传输层的分子排列秩序度,提高有机半导体传输层的载流子迁移率。因此一个采用该取向层作为绝缘层的有机场效应晶体管(OFET)的沟道载流子迁移率特性获得了很大改善。
搜索关键词: 一种 有机 场效应 取向 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1、一种有机场效应晶体管的取向层,其特征在于由聚酰亚胺类(记为PI)聚合物组成,其单体中含有环丁烷、环己烷、环戊烷结构单元或主链上含有乙缩醛结构。
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