[发明专利]用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法有效
| 申请号： | 200410053175.5 | 申请日： | 2004-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1588620A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 何力;陈路;巫艳;于梅芳;王元樟;吴俊;乔怡敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/36 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了在晶格失配衬底上外延的HgCdTe材料位错密度高的问题。同时通过调节数字合金层中的y组分使该合金层相对HgCdTe后继外延层为红外透明，可用作背照射结构的各种红外焦平面探测器的嵌入式前截止带通滤光片。本方法适合于在Si、Ge、GaAs以及宝石衬底上外延高质量HgCdTe材料，可以满足背照射、正照射各种红外焦平面探测器结构的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碲镉汞 外延 生长 数字 合金 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底，包括：基片(1)，其特征在于：在基片上通过分子束外延的方法依次置有缓冲层(2)、数字合金层(3)、过渡层(4)；所说的基片(1)为Si、Ge、GaAs或宝石材料；所说的缓冲层(2)为CdTe或ZnTe材料；所说的数字合金层(3)由[Hg1-xCdxTe/Hg1-yCdyTe]N材料制成，其中x和y分别是Cd的组分，N为Hg1-xCdxTe/Hg1-yCdyTe交替生长的周期数；所说的过渡层(4)由CdTe或ZnCdTe材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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