[发明专利]载流子迁移率提高的双栅极晶体管有效
| 申请号： | 200410048155.9 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1574387A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 博扬·博亚诺夫;布雷恩·多伊;杰克·T·卡瓦利罗斯;阿南德·默西;罗伯特·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/092;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种装置，所述装置包括：应变衬底；位于应变衬底上方的器件，所述器件包括沟道，所述应变衬底在基本垂直于所述沟道中电流的方向的方向上使所述器件发生应变。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 迁移率 提高 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：应变衬底；位于所述衬底上方的器件，所述器件包括沟道；其中，所述应变衬底在基本垂直于所述沟道中电流的方向的方向上使所述器件发生应变。
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