[发明专利]纳米材料可控生长真空管式反应设备无效

专利信息
申请号: 200410047127.5 申请日: 2004-12-30
公开(公告)号: CN1670270A 公开(公告)日: 2005-09-21
发明(设计)人: 唐元洪;张勇 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B25/08;F27B5/05;C01B31/02
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 代理人: 赵洪
地址: 410082湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种纳米材料可控生长真空管式反应设备,它包括炉体、测温元件、温控装置、加热装置、真空系统以及电源,炉体内设有炉膛,加热装置安装在炉膛周围,温控装置通过电缆与测温元件以及加热装置相连,炉膛的一端连接设有进气口,而另一端则设有出气口并连接有真空系统,加热装置沿着炉膛内的进气方向依次设有高温发热区和低温发热区两段发热元件。本发明采用两段式加热可控制温度梯度并适合多种气氛工作,两段发热元件可以单独或联合操作对炉膛加热,并且能够准确获取并控制蒸发区和生长区的温度,从而能够达到生成不同形态纳米材料的目的。
搜索关键词: 纳米 材料 可控 生长 真空管 反应 设备
【主权项】:
1、一种纳米材料可控生长真空管式反应设备,它包括炉体(1)、测温元件(3)、温控装置(4)、加热装置(6)、真空系统(8)以及电源(13),炉体(1)内设有炉膛(2),加热装置(6)安装在炉膛(2)周围,温控装置(4)通过电缆与测温元件(3)以及加热装置(6)相连,炉膛(2)的一端连接设有进气口(5),而另一端则设有出气口(7)并连接有真空系统(8),其特征在于:所述加热装置(6)沿着炉膛(2)内的进气方向依次设有高温发热区和低温发热区两段发热元件。
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