[发明专利]具有冗余电路的集成存储器电路及取代存储器区域的方法无效
| 申请号： | 200410043410.0 | 申请日： | 2004-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1551230A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | P·比尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成存储器电路，其具有冗余电路以通过被指定至在集成存储器电路的该冗余电路的冗余存储器区域取代具一地址的存储器区域，该冗余电路具有一或更多熔丝储存元件，每一要被设定的该熔丝储存元件可由为维持不变的该对应熔丝储存元件被设定至第一状态，及由被永远改变的该对应熔丝储存元件被设定至第二状态，该冗余电路具活化熔丝储存元件以活化储存于该熔丝储存元件的地址。一种去活化储存元件被提供以允许或防止由该冗余存储器区域取代具该地址的存储器区域，该去活化储存元件以一种方式连接至该熔丝储存元件以防止：若每一该熔丝储存元件已被永远改变由该冗余存储器区域取代具该地址的存储器区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冗余 电路 集成 存储器 取代 区域 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成存储器电路，其具冗余电路以通过被指定至在集成存储器电路的该冗余电路的冗余存储器区域(12)取代具一地址的存储器区域，该冗余电路具一或更多熔丝储存元件(1)，其中要由该冗余存储器区域(12)取代的该存储器区域之地址可被设定，为进行设定该地址的目的，每一该熔丝冗余储存元件(1)可由为维持不变的该对应熔丝储存元件(1)被设定至第一状态，或是由被永远改变的该对应熔丝储存元件(1)设定至第二状态，该冗余电路具活化熔丝储存元件(13)以活化储存于该熔丝储存元件(1)的地址，使得该存储器区域可由该冗余存储器区域(12)取代，其特征在于，一种去活化储存元件(21)以允许或防止由该冗余存储器区域(12)取代具该地址的存储器区域，该去活化储存元件(21)系以一种方式被连接至该熔丝储存元件(1)以防止：若每一该熔丝储存元件(1)已被永远改变，由该冗余存储器区域(12)取代具该地址的存储器区域。
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