[发明专利]发光二极管元件、覆晶式发光二极管封装结构与光反射结构有效
| 申请号： | 200410039028.2 | 申请日： | 2004-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN100481532C | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 许进恭;许世昌 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种发光二极管元件、覆晶式发光二极管封装结构与光反射结构。该发光二极管元件，包括元件基板、第一型掺杂层、发光层、第二型掺杂层、透明导电金属氧化物层、反射层与二电极。其中，第一型掺杂层配置于元件基板上，发光层配置于部分的第一型掺杂层上，且第二型掺杂层配置于发光层上，该第二型掺杂层与第一型掺杂层皆是由III-V族化合物半导体材料所构成。透明导电金属氧化物层是配置于第二型掺杂层上，且反射层配置于透明导电金属氧化物层上。该二电极是分别配置于反射层及第一型掺杂层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 覆晶式 封装 结构 反射 | ||
【主权项】：
1、一种适用于覆晶式发光二极管封装结构的发光二极管元件，其特征在于其包括：一元件基板；一第一型掺杂层，配置于该元件基板上；一发光层，配置于部分的该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上，该第二型掺杂层与该第一型掺杂层皆是由一III-V族化合物半导体材料所构成；一透明导电金属氧化物层，配置于该第二型掺杂层上，以作为一欧姆接触层；一反射层，配置于全部的该透明导电金属氧化物层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层上。
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