[发明专利]上部电极和等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 200410038015.3 申请日: 2004-05-12
公开(公告)号: CN1551302A 公开(公告)日: 2004-12-01
发明(设计)人: 林大辅;石田寿文;木村滋利 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/30 分类号: H01L21/30;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种可抑制更换部件的成本增加,可降低运转成本,与先前比较,可提高温度控制性能,可以进行高精度的等离子体处理的上部电极和等离子体处理装置。设在真空腔室(1)上的上部电极(3)由电极基体(30)、冷却块体(31)和电极板(32)构成。在电极基体(30)和冷却块体(31)之间,形成有处理气体扩散用空隙(33)。在冷却块体(31)上形成多个通孔(34),在这些通孔(34)之间,形成细的弯曲状的冷却介质流路(35)。电极板(32)通过作为具有柔软性的传热部件的硅橡胶片(36),可自由安装和脱开地固定在冷却块体(31)的下侧,分别与通孔(34)对应而形成有喷出口(37)。
搜索关键词: 上部 电极 等离子体 处理 装置
【主权项】:
1.一种上部电极,与放置着被处理基板的载置台相对配置,用于在与所述载置台之间产生处理气体的等离子体,其特征为,具有:冷却块体,内部形成有使冷却介质流通的冷却介质流路,同时,形成有用于使所述处理气体通过的多个通孔;电极板,通过具有柔软性的传热部件,可自由安装和脱开地固定在所述冷却块体的下面,其上形成有将所述处理气体向着所述载置台上的所述被处理基板输出的多个喷出口;和电极基体,设置在所述冷却块体的上侧,在与所述冷却块体之间形成使所述处理气体扩散用的处理气体扩散用空隙。
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