[发明专利]半导体激光装置的制造方法无效
| 申请号： | 200410035311.8 | 申请日： | 2004-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1538582A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 冈崎淳 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光装置的制造方法，首先，在单一基板上形成发光部，搭载在副载置台上。然后，从发光部之间的中间位置，将搭载在副载置台上的基板切断。在这样制造出来的激光装置中，由于是在单片上形成了2个激光元件，能够提高它们之间的相对位置精度。由于在各激光元件之间切断基板，能够大幅抑制通过基板传导热、电串扰的情况，因此，可以高度确保多个激光元件的相对位置精度，抑制串扰的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光装置的制造方法，半导体激光装置具备在副载置台上搭载多个半导体激光元件，其特征在于，包括：发光点形成工艺，在单一基板上，层叠由半导体材料构成的层结构，形成多个发光点；装配工艺，将具有多个发光点的所述基板搭载在副载置台上；和基板切断工艺，通过在发光点之间对应的部位切断所述基板，在副载置台上形成包括基板和发光点的多个激光元件。
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