[发明专利]使用掺杂氧化物沟槽填充之沟槽绝缘无效
| 申请号： | 200410031266.9 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1542941A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | M·贝延斯基;O·格鲁斯臣科夫;A·克诺尔;C·帕克斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沟槽绝缘结构被形成于该基板内，一或更多开孔形成于该基板表面，及内衬层被沉积于至少沿该开孔的底部及侧壁。掺杂氧化物材料层被沉积于至少在该开孔，及该基板被退火以回焊该掺杂氧化物材料层，仅接近该基板表面的部分被自在该开孔内的掺杂氧化物材料层被移除，覆盖层被沉积于在该开孔的掺杂氧化物材料层的其余部分的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 掺杂 氧化物 沟槽 填充 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种形成沟槽绝缘结构于该基板的方法，该方法包括：形成至少一开孔于该基板的表面；至少沿该开孔的底部及侧壁沉积内衬层；沉积掺杂氧化物材料层至少于该开孔；退火该基板以回焊在该开孔内的该掺杂氧化物材料层；自在该开孔内的该掺杂氧化物材料层移除仅接近该基板的该表面的部分；及在该开孔，沉积覆盖层于该掺杂氧化物材料层的其余部分的顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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