[发明专利]同时测多个金属－氧化物－半导体器件热载流子的测试结构有效
| 申请号： | 200410025521.9 | 申请日： | 2004-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1716559A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 龚斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;竺明 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 同时测多个金属－氧化物－半导体器件的热载流子的测试结构，其特征是，包括：至少一个多晶硅栅极；分别位于多晶硅栅极两个侧边的源区和漏区；分别位于多晶硅栅极两个侧边的源区和漏区的另一侧边的虚拟多晶硅栅极；分别对应多晶硅栅极、源区、漏区、和虚拟多晶硅栅极的多个焊盘；和分别连接多晶硅栅极、源区、漏区、和虚拟多晶硅栅极和对应的各个焊盘用的金属导线。通过测试机台的开关矩阵控制，就可以使至少3个MOS器件并联，并同时对至少3个并联的MOS器件并行地加热载流子注入测试电压。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 测多个 金属 氧化物 半导体器件 载流子 测试 结构 | ||
【主权项】：
1、同时测多个金属-氧化物-半导体器件的热载流子的测试结构，其特征是，包括：至少一个多晶硅栅极；分别位于多晶硅栅极两个侧边的源区和漏区；分别位于多晶硅栅极两个侧边的源区和漏区的另一侧边的虚拟多晶硅栅极；分别对应多晶硅栅极、源区、漏区、和虚拟多晶硅栅极的多个焊盘；和分别连接多晶硅栅极、源区、漏区、和虚拟多晶硅栅极和对应的各个焊盘用的金属导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
