[发明专利]一种制备大面积铁电薄膜的方法无效
申请号: | 200410018579.0 | 申请日: | 2004-05-21 |
公开(公告)号: | CN1581530A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | 仇萍荪;丁爱丽;何夕云;程文秀;郑鑫森 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L41/22 | 分类号: | H01L41/22;B05D1/30;B05D5/12 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备均匀大面积铁电薄膜的方法,属于铁电薄膜制备领域。其特征在于采用化学匀胶成膜的方法制备铁电薄膜。关键是改进了匀胶台吸盘的气路槽和优化工艺参数。设计的气路槽宽减小至0.8-1.5mm,槽深减至0.5-0.8mm,增加了槽的数量由圆环状改为发射状,且工艺参数优化,与原来较深的圆槽相比,匀胶后的膜颜色均匀,没有衍射环,所制备的4英寸PZT铁电薄膜厚度均匀性和性能均匀性偏差分别为2.5%和3%。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 大面积 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1、一种大面积铁电薄膜的制备方法,按制备的铁电薄膜的配置成溶液,选定基片,然后用匀胶法制备薄膜,其特征在于基片放在改进后的发射状吸气盘上,将溶液均匀滴在基片上,甩胶速度控制在3000-5000转/分钟,时间20-40秒;然后放在320-420℃的热板上预烧结10-15分钟,经5-10次成膜—预烧结—再成膜制成铁电薄膜,最后经650-750℃,氧气氛下快速退火处理;所述的改进后发射状吸气盘圆槽的宽度为0.8-1.5mm;深度为0.5-0.8mm。
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