[发明专利]监测离子植入状态的芯片重复再使用的方法无效
| 申请号： | 200410017409.0 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1677620A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 金桂东;江瑞星;缪郭耀;高玉歧 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种监测离子植入状态的芯片重复再使用的方法，它利用一快速回火工艺，来修复离子植入工艺对芯片所造的损伤，使监控离子植入状态的控片或档片能够重复再使用，进而降低工艺上成本的花费与资源上的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 离子 植入 状态 芯片 重复 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监测离子植入状态的芯片重复再使用的方法，其特征在于包括以下步骤：提供一芯片，且所述芯片是已经过一离子植入工艺；以及对所述芯片进行一快速热回火工艺，来修复所述离子植入工艺对所述芯片造成的损伤，以获得可再次监测离子植入工艺状态的芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
