[发明专利]离子布植掩膜式只读存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200410016903.5 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1667818A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈国庆;黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造掩膜式只读存储器的方法，包含：提供一基材；在该基材内，形成多个内藏位元线；在该基材上，形成一介电层及多个字元线，同时，在两邻接位元线与在字元线下，定义一记忆格，其中这些字元线实质垂直于这些位元线，并在其纵向缘呈曲折状；在多个记忆格上，形成多个编码窗；以离子来布植在编码窗下的记忆格；及以一介电材料，填充这些编码窗。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 布植掩膜式 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造掩膜式只读存储器的方法，包含：提供一基材；在该基材内，形成多个内藏位元线；在该基材上，形成一介电层及多个字元线，同时，在两邻接位元线与在字元线下，定义一记忆格，其中这些字元线实质垂直于这些位元线，并在其纵向缘呈曲折状；在多个记忆格上，形成多个编码窗；以离子来布植在编码窗下的记忆格；及以一介电材料，填充这些编码窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
