[发明专利]测试半导体存储设备的装置与方法无效
| 申请号： | 200410011518.1 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1728283A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 都昌镐 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储设备用以执行一可靠性测试，包括写驱动块，用以在测试模式下产生一预定的测试电压且在正常模式下在数据存取操作中将自一外部电路输入的数据传递进入局部I/O线对，局部I/O线对耦合至写驱动块，用以在测试模式下接收所述预定的测试电压，以及单元阵列，其具有多个单位单元与多个位线对，所述多个位线对分别具有第一与第二位线且耦合至至少一单位单元，用以自每一个局部I/O线对接收所述预定的测试电压，以由此检查在测试模式下可靠性测试的结果。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 半导体 存储 设备 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储设备，用以执行可靠性测试，包括：写驱动块，用以在测试模式下产生预定的测试电压，且在正常模式下在数据存取操作期间将自外部电路输入的数据传至局部I/O线对内；局部I/O线对，其被耦合至所述写驱动块，用以在所述测试模式下接收所述预定的测试电压；且单元阵列，其具有多个单位单元与多个位线对，所述多个位线对分别具有第一与第二位线且耦合到至少一单位单元，用以自每一局部I/O线对接收所述预定的测试电压，以由此检查在测试模式下可靠性测试的结果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410011518.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
