[发明专利]能够实现反向读取的SONOS型快闪存储器阵列构架

摘要

能够实现反向读取的SONOS型快闪存储器阵列构架属于快闪存储器设计技术领域，其特征在于：它通过源线编程，而通过位线进行反向读取；它还通过每x列存储单元共用一条源线，而源线又和位线具有相同的走线方向。从而提高了编程效果，加快了读取速度，还改善了系统的串扰，降低了系统译码的复杂度，减少了芯片面积。

主权项

1、能够实现反向读取的SONOS型快闪存储器阵列构架属于快闪存储器设计技术领域，其特征在于，它是一个有n×m个存储单元的阵列构架，其中：每行的m个存储单元共用一条水平方向走线的字线，用WL表示，整个存储阵列共有n条字线；每列的n个存储单元之间相互反向串接，每列的n个存储单元共用一条位线，用BL表示，所述位线的走线方向垂直于字线的走线方向，整个存储阵列共有m条位线；所述m条位线按照区块进行划分，每个区块包含x条位线，共有n×x个存储单元，它们共用一条源线，用SL表示，源线从这x列单元的中间引出，其走线方向和位线的走线方向相同，整个存储阵列共有m/x个区块和m/x条源线；在编程时，要被编程的存储单元所在区块中的源线被连接到电压为VprogS的输入信号端，它所在的字线被连接到电压为VprogW的输入信号端，它所在的位线被连接到电压为0V的偏置端，而它所在区块中的其他位线处于浮空状态，其他字线被连接到电压为0V的偏置端；对于其他区块，其中存储单元的源线和位线都被连接到电压为0V的偏置端；在读取时，要被读取的存储单元所在区块中的源线被连接到电压为0V的偏置端，它所在的字线被连接到电压为VreadW的信号输入端，它所在的位线是信号读出线，被连接到电压为VreadB的一端；而其余的包括其他区块中的字线，位线和源线都被连接到电压为0V的偏置端；在擦除时，整个存储阵列中所有的字线都被连接到电压为VeraW的信号输入端，所有的源线都被连接到电压为VeraS的信号输入端，所有的位线都处于浮空状态。