[发明专利]准双栅场效应晶体管无效
| 申请号： | 200410009436.3 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1599076A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;黄如;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种准双栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该准双栅场效应晶体管包括：源、漏区、隔离区、体以及前、后栅，前栅为多晶硅，前栅与沟道区之间设有一层栅氧，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体直接固定连接，形成P－N结。与传统的FinFET相比，本发明结构具有两个不同类型的控制栅，其中后栅(P－N结栅)用来耗尽沟道区，抑制泄漏电流；前栅用来在沟道区产生反型层，产生大的驱动电流。且本发明后栅与体直接连接，大大加强了器件的栅控能力，缓解了对隔离区宽度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 准双栅 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种准双栅场效应晶体管，包括：源、漏区、体以及前、后栅，源、漏区与体之间设有隔离区，其特征在于：前栅为多晶硅，前栅与体之间通过栅氧连接，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体固定连接，形成P-N结。
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