[发明专利]转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法及其光刻系统无效
| 申请号： | 200410009042.8 | 申请日： | 2004-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1690858A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张锦;冯伯儒;刘娟;宗德蓉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟;成金玉 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法是，使用一个精密的转动机构，在垂直光照明掩模和x方向倾斜照明掩模进行低频和x方向高频分量两次曝光之后，使掩模和抗蚀剂硅片同步转动90°，然后进行y方向高频分量曝光，实现成像干涉光刻所需的第三次曝光，形成最终的高分辨掩模成像。该方法原理简单，无须使用多台波长不同的激光器或频移器件，使系统设备费用降低，系统结构及调整、对准简化，并用快门控制曝光时间，采用可变滤光片调节曝光光强比，并且在低频分量和高频分量曝光之间用一个可转进转出全反镜提高了激光能量利用率，最终达到高分辨、高像质成像。本发明使在三次曝光之间不需要实时调整光路，用一个波长的一台激光器便可实现成像干涉光刻，减少了三次曝光之间的调整和对准困难，并缩短了三次曝光所需的时间，提高曝光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 转动 抗蚀剂 硅片 成像 干涉 光刻 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
1、转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法，其特征在于：使用一个精密的转动机构，在垂直光照明掩模和x方向倾斜照明掩模进行低频和x方向高频分量两次曝光之后，使掩模和抗蚀剂硅片同步转动90°，然后进行y方向高频分量曝光，实现成像干涉光刻所需的第三次曝光，形成最终的高分辨掩模成像。
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