[发明专利]影像传感器组件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410007733.4 申请日: 2004-03-05
公开(公告)号: CN1665031A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 施俊吉;蔡明桦;谭宗涵;吴心平;林家辉 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H04N5/335
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种影像传感器组件的制造方法,此方法先提供一基底,且此基底中已形成有多个沟槽。之后,在这些沟槽表面形成第一抗反射层。然后,在这些沟槽中填入绝缘层,以形成多个浅沟槽隔离区。接着,在相邻的浅沟槽隔离区之间的基底中形成至少一光感测区。继之,形成第二抗反射层,以至少覆盖光感测区。由于在沟槽表面形成第一反抗层以及在光感测区上形成第二抗反射层,因此可以改善影像传感器组件的灵敏度。
搜索关键词: 影像 传感器 组件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种影像传感器组件的制造方法,包括:提供一基底,且该基底中已形成有多个沟槽;在该些沟槽表面形成一第一抗反射层;在该些沟槽中填入一绝缘层,以形成多个浅沟槽隔离区;在相邻的二该浅沟槽隔离区之间的该基底中形成至少一光感测区;以及形成一第二抗反射层,以至少覆盖该光感测区。
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