[发明专利]影像传感器组件及其制造方法无效
| 申请号: | 200410007733.4 | 申请日: | 2004-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN1665031A | 公开(公告)日: | 2005-09-07 |
| 发明(设计)人: | 施俊吉;蔡明桦;谭宗涵;吴心平;林家辉 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种影像传感器组件的制造方法,此方法先提供一基底,且此基底中已形成有多个沟槽。之后,在这些沟槽表面形成第一抗反射层。然后,在这些沟槽中填入绝缘层,以形成多个浅沟槽隔离区。接着,在相邻的浅沟槽隔离区之间的基底中形成至少一光感测区。继之,形成第二抗反射层,以至少覆盖光感测区。由于在沟槽表面形成第一反抗层以及在光感测区上形成第二抗反射层,因此可以改善影像传感器组件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词: | 影像 传感器 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种影像传感器组件的制造方法,包括:提供一基底,且该基底中已形成有多个沟槽;在该些沟槽表面形成一第一抗反射层;在该些沟槽中填入一绝缘层,以形成多个浅沟槽隔离区;在相邻的二该浅沟槽隔离区之间的该基底中形成至少一光感测区;以及形成一第二抗反射层,以至少覆盖该光感测区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





