[发明专利]电荷检测装置有效
申请号: | 200410007464.1 | 申请日: | 2004-03-04 |
公开(公告)号: | CN1527397A | 公开(公告)日: | 2004-09-08 |
发明(设计)人: | 栗山俊宽 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电荷检测装置,能低电压且高效率地将蓄积电荷转换为电压,另外输出电压的动态范围大,转换效率的线性良好。其具备由在P阱(101)内的低浓度N型(N-)层(108)及在N-层和主表面之间形成的高浓度N型(N+)层构成的电荷蓄积部,N+层与输出电路的放大用晶体管(405)的输入端子连接,在蓄积电荷的排出中对N+层加反向偏置电压后,至少到蓄积饱和电荷之前,N-层全部耗尽。 | ||
搜索关键词: | 电荷 检测 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电荷检测装置,具备电荷蓄积部,该电荷蓄积部包括在包含一主表面的半导体衬底上形成的第1导电型的第1区域、在上述第1区域内形成的第2导电型的第2区域、及在上述第2区域和主表面之间形成的第2导电型的第3区域;上述第3区域与输出电路的输入端子连接,对上述第3区域施加了将蓄积在上述电荷蓄积部中的蓄积电荷排出的复位电压之后,上述第2区域全部耗尽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的