[发明专利]具有沟槽栅结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410007391.6 | 申请日： | 2004-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1527369A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 青木孝明 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/744;H01L29/749 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件(100)的方法，包括步骤：在衬底(3)中形成沟槽(4)；通过该绝缘膜(5)，在该沟槽(4)中形成导电膜(6)；以及在形成该导电膜(6)的步骤后，以退火温度使该衬底(3)退火，以便以退火温度去除该绝缘膜(5)中的损坏。用上述方法制造的器件(100)具有高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造半导体器件(100)的方法，包括步骤：在衬底(3)中形成具有内壁的沟槽(4)；在所述沟槽(4)的内壁上形成绝缘膜(5)；通过所述绝缘膜(5)，在所述沟槽(4)中形成导电膜(6)；以及在形成所述导电膜(6)的步骤后，以一退火温度使所述衬底(3)退火，以便以该退火温度去除所述绝缘膜(5)中的损坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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