[发明专利]有钴铬铁第一铁磁膜的反铁磁耦合磁记录介质无效
| 申请号： | 200410005490.0 | 申请日： | 2004-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1542746A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 华·V.·多;玛丽·F.·多尔纳;埃里克·E.·夫勒顿;戴维·T.·玛古利斯;纳塔查·F.·苏帕 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 用于数据存储的磁记录介质使用一种至少包含两层铁磁膜的磁记录层，这两层铁磁膜通过非铁磁间隔膜反铁磁交换耦合在一起。在这个反铁磁耦合(AFC)记录层中，两个铁磁膜的磁矩反平行，于是AFC记录层的净剩余磁化强度－厚度积(Mrt)是这两层铁磁膜的Mrt的差值。Mrt的这个缩减不会降低记录介质的热稳定性。AFC记录层中的下部铁磁薄膜是铁磁CoCrFe合金，在其与Cr合金底层之间不需要晶核形成层。以CoCrFe合金作为AFC记录层中的第一或下部铁磁薄膜的方式减小了固有的介质噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 有钴铬铁 第一 铁磁膜 反铁磁 耦合 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录盘，包括：基底；基底上的、从Cr和各种Cr合金构成的组中选出的非铁磁底层；直接在底层上形成并且与底层接触的第一铁磁膜，第一铁磁膜是基本上由钴(Co)，铬(Cr)和铁(Fe)构成的合金；第一铁磁膜上的非铁磁间隔膜；和间隔膜上的第二铁磁膜，第二铁磁膜是包括Co和B的合金，第二铁磁膜通过间隔膜与第一铁磁膜反铁磁交换耦合。
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