[发明专利]第三族氮化物半导体器件和其生产方法有效
| 申请号： | 200410003940.2 | 申请日： | 2000-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1525532A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 千代敏明;柴田直树;千田昌伸;伊藤润;浅见静代;浅见慎也;渡边大志 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/86;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。 | ||
| 搜索关键词： | 第三 氮化物 半导体器件 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产第三族氮化物半导体器件的方法，其包含如下的步骤：制备一个蓝宝石基片，该基片具有厚度不大于300埃的表面氮化层；在蓝宝石基片上形成厚度从0.01到3.2微米的第一第三族氮化物半导体层；及在所述第一第三族氮化物半导体层上形成第二第三族氮化物半导体层；其中所述第一第三族氮化物半导体层的生长温度基本上等于或高于所述第二第三族氮化物半导体层的生长温度，并采用金属有机化学汽相沉积方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
