[发明专利]沟渠电容器氧化物颈圈之制造方法

摘要

本发明系关于一种用于在实质上与一衬底顶表面垂直配置之起伏轮廓之区域上制造图案化陶瓷层的方法。如此之图案化陶瓷层系，举例而言，为一沟渠电容器之氧化物颈圈，该氧化物颈圈系藉由首先以一抗蚀剂加以填满沟渠之下部区段并接着藉由低温ALD法之辅助在未覆盖之衬底上产生一氧化物层而加以产生，并且，藉由非等向性蚀刻，仅会剩余与沟渠之壁垂直配置之陶瓷层之那些部分，接着，该抗蚀剂充填，举例而言，藉由一氧等离子体可被移除。

主权项

1.一种用于在实质上与一衬底表面垂直配置之起伏轮廓之区域上制造图案化陶瓷层的方法，其具有下列步骤；提供一半导体衬底，而于该衬底之顶侧之上形成一起伏轮廓，其系具有实质上与一衬底表面垂直配置之区域；以一抗蚀剂充填该起伏轮廓至一特定之起伏轮廓深度，而获得一抗蚀剂层；藉由一低温ALD(atomic layer deposition，原子层沉积)法沉积由一陶瓷材料所建构成之一陶瓷层，该低温ALD法系于低于该抗蚀剂之软化温度的温度下加以执行；非等向性蚀刻该陶瓷层，因此残留于与该衬底之该顶侧垂直配置的区域以及于配置于该陶瓷层之下之该抗蚀剂层之一顶侧之该陶瓷层系至少成段未被覆盖；以及移除该抗蚀剂层。