[发明专利]一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法

摘要

本发明提供一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法。该方法首先形成一非晶硅图形，该非晶硅图形包括有一第一、第二区域，至少一紧邻该第二区域具有一第二高度的第一尖端区域，至少一位于该第一区域以及该些第一尖端区域间的第四区域，该些第四区域具有一小于该第二高度的第四高度，进行一激光结晶工艺，于该些第四区域之内结晶成一第一单晶硅晶粒。

主权项

1.一种利用激光结晶工艺制作一硅薄膜的方法，该方法包括下列步骤：提供一衬底，该衬底上包括一非晶硅图形，且该非晶硅图形包括两个相对的一第一侧面以及一第二侧面，该非晶硅图形包括：一第一区域，该第一区域由该第一侧面向该第二侧面的方向延伸，且该第一区域具有一第一高度、一第一宽度以及一第一长度；一第二区域，该第二区域由该第二侧面向该第一侧面的方向延伸，且该第二区域具有一第一高度、一第一宽度以及一第一长度；至少一第一尖端区域，该些第一尖端区域紧邻该第二区域并朝向该第一侧面的方向延伸，该些第一尖端区域具有一第二高度、一第二最大宽度以及一第二最大长度，且该第二高度小于该第一高度；一第三区域，该第三区域位于该第一区域以及该第二区域之间，该些第一尖端区域位于该第三区域之上，且该第三区域具有一第三高度、一第三宽度以及一第三长度，该第三高度小于该第一高度；以及至少一第四区域，该些第四区域位于该第一区域以及该些第一尖端区域之间之该第三区域之上，该些第四区域具有一第四高度、一第四宽度以及一第四长度，且该第四高度小于该第二高度，该第四宽度小于该第三宽度；以及进行一激光结晶工艺，以使与该些第四区域相邻接的该些第一尖端区域内的一非晶硅籽晶成长，于该些第四区域之内结晶成一第一单晶硅晶粒。