[发明专利]用于分子存储器和逻辑器件的定制电极无效

申请号：	200410001217.0	申请日：	2004-01-02
公开（公告）号：	CN1534731A	公开（公告）日：	2004-10-06
发明（设计）人：	P·A·贝克;D·奥尔伯格;D·斯图尔特;Z·李	申请（专利权）人：	惠普开发有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/3205
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	吴立明;王忠忠
地址：	美国德***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供一种用于制造分子电子器件(10)的方法，所述分子电子器件至少包括一底部电极(14)和在底部电极(14)上的分子开关膜(16)。该方法包括通过下列工艺步骤形成该底部电极(14)，包括：清洗(36b)其中将淀积所述底部电极(14)的所述衬底(12)的部分；预溅射(36c)所述部分；在至少所述部分上淀积(36d)所述导电层(14)；以及清洗(36g)该导电层(14)的上表面。有利地，该导电电极(14)特性包括：低且受控的氧化物形成(或可能被钝化)、高熔点、高体积弹性模量和低扩散。光滑的淀积膜表面与Langmuir－Blodgett分子膜淀积相一致。定制表面还可用于SAM淀积。金属本性提供给分子高电导率连接。可以为器件堆附加阻挡层，即，在导电层(14)上的Al₂O₃。
搜索关键词：	用于分子存储器逻辑器件定制电极
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【主权项】：

1.一种方法，用于定制形成在衬底(12)上的导电层(14)的至少部分上表面，该衬底具有第一表面粗糙度，以提供给所述上表面第二表面粗糙度，所述方法包括：在所述衬底(12)上淀积(36d)所述导电层(14)；以及在等离子体中定制(36g)所述导电层(14)的至少部分所述上表面，以至少光滑所述导电层(14)的所述上表面，由此所述第二表面粗糙度基本上和所述第一表面粗糙度相等。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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