[发明专利]硅化铁和光电换能器的制造方法

摘要

一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p－i－n结100，和一个透明电极层16。所述p－i－n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。

主权项

1.一种制造具有半导体特性的硅化铁薄膜的方法，该方法包括：一个在底材周围保持固定压力的压力调整步骤；一个加热底材的底材加热步骤；一个向底材供应原料气体的气体供应步骤，该原料气体包括含硅原子气体和氢气；一个等离子区形成步骤，即加载高频功率到与底材相对的区域以形成一个包含一种从原料气体中得到的化学物种的等离子区；和一个为底材提供铁原子的铁供应步骤。