[发明专利]使用背侧捕获的可缩放纳米晶体管和存储器无效
| 申请号： | 200380108521.9 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1735972A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 桑迪普·蒂瓦里 | 申请（专利权）人： | 康乃尔研究基金会有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/788;H01L21/8246;H01L27/115;H01L27/12;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的一个方面提供了一种器件，其中充电和放电发生在由设置在薄硅通道背侧的多层膜形成的捕获区中。导致存储功能的充电机制和前栅极晶体管运行的去耦合允许前栅极有效缩放。但是明显更重要的是这些器件的独特特征：这些结构可以作为晶体管和存储器运行。薄的有源硅通道和薄的前氧化物层提供将该结构缩放至几十纳米的能力，通过使用明显不同的两个电压范围来获得该器件的双重功能。在低电压下该结构作为正常的晶体管运行，在高电压下该结构作为存储器运行。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 捕获 缩放 纳米 晶体管 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；设置在衬底上的电荷捕获区；电荷捕获区上的半导体层；和形成在半导体层中的至少一个晶体管。
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