[发明专利]有机半导体装置无效
| 申请号： | 200380102562.7 | 申请日： | 2003-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1708860A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 田边贵久 | 申请（专利权）人： | 先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/00;H01L21/28;H01L27/092;H05B33/14;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种有机半导体装置包括至少两个p型和n型沟道有机半导体元件。各个有机半导体元件包括：一对相对的源极和漏极；具有载流子迁移性的有机半导体层，其被形成得在源极与漏极之间提供沟道；以及栅极，用于通过栅绝缘膜向源极与漏极之间的有机半导体层施加电场。在该有机半导体装置中，p型沟道有机半导体元件的源极和漏极由功函数值比n型沟道有机半导体元件的源极和漏极的材料的功函数值高的材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种有机半导体装置，包括：至少p型沟道有机半导体元件和n型沟道有机半导体元件，所述P型沟道有机半导体元件和n型沟道有机半导体元件各自包括：一对源极和漏极，它们彼此相对，有机半导体层，其淀积在源极与漏极之间，从而可以在源极与漏极之间形成沟道，栅极，其通过栅绝缘层向设置在源极与漏极之间的有机半导体层施加电压；其中，p型沟道有机半导体元件的源极和漏极分别的功函数比n型沟道有机半导体元件的源极和漏极的功函数高。
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