[实用新型]硅基量子点红外探测器

摘要

本实用新型公开了属于纳米半导体电子器件范围的一种硅基Ge量子点红外探测器。在硅衬底片上从下至上生长下电极接触层、下电极、相间生长Ge量子点和Si隔离层8－12层；然后在上面再长一层上电极接触层、上电极；且在上电极上刻出一个透光窗口即做成一个硅基Ge量子点红外探测器。量子点红外探测器与量子阱探测器相比有着明显的优点：量子点中声子散射的减少，光激载流子在弛豫到基态前形成光电流，提高了探测效率；量子点激发态中载流子寿命的延长也有利于改善探测器性能；选择合适的掺杂浓度，由于其态密度的峰化，量子点探测器的漏电流密度相对低。

主权项

1.一种硅基量子点红外探测器，其特征在于：所述红外探测器的结构是在硅衬底(1)上为下电极接触层(2)，在下电极接触层(2)两边较低平面部分为台面(3)，在台面(3)上设置Al膜做下电极(4)；在下电极接触层(2)的高平面上为Si的隔离层(6)，Ge量子点(5)分布其中，分布有Ge量子点(5)的Si隔离层有8-12层叠加在一起；然后在该层上面为上电极接触层(7)，该层周边以Al膜作为上电极(8)，中部为透光窗口(9)，即做成一个硅基Ge量子点红外探测器。