[发明专利]半导体装置及该半导体装置的数据写入方法无效
| 申请号： | 200310123754.8 | 申请日： | 2003-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1534677A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 梶山健 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及该半导体装置的数据写入方法，可以防止一次写入的数据被改写。该半导体装置包括：具有分别具有难磁化轴和易磁化轴的多个MTJ元件(10)，二值数据中的一种数据被写入所有这些MTJ元件(10)中的存储部；以及以只把二值数据中的另一种数据只写入到MTJ元件10中的被选择的选择MTJ元件(10)中的方式流过写入电流(I1)的电路部(Tr1a、Tr1b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：存储部，该存储部具有分别具有难磁化轴和易磁化轴的多个磁阻效应元件，二值数据中的一种数据写入到所有这些磁阻效应元件中；以及以只将上述二值数据中的另一种数据只写入上述磁阻效应元件中的被选择的选择磁阻效应元件的方式流过写入电流的电路部。
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