[发明专利]一种碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 200310113521.X | 申请日： | 2003-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1544713A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;吴星;李河清;倪代秦;胡伯清;李金成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。
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