[发明专利]一种金属布线上层间膜的二步淀积法有效
| 申请号： | 200310109531.6 | 申请日： | 2003-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1630059A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 施向东;姚亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明有关一种金属布线上层间膜的淀积方法，其采用二步淀积层间膜，解决层间膜埋入性差的问题，其具体步骤为：首先在芯片表面上进行层间膜淀积；第二步，选择性刻蚀层间膜；接着进行金属膜淀积及氮化钛/钛薄膜淀积，在芯片的表面及上述层间膜上形成金属淀积层及氮化钛/钛薄膜层；然后进行金属线刻蚀，选择性刻蚀淀积的氮化钛/钛薄膜层及金属层；最后采用一般等离子成膜方式进行第二次的层间膜淀积。由于采用上述方式，本发明的层间膜埋入性好，能解决金属空洞的问题，同时由于在第二步成膜时采用一般等离子成膜方式，减小等离子的损伤及热履历过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 布线 上层 二步淀积法 | ||
【主权项】：
1、一种在芯片的金属布线上淀积层间膜的二步淀积法，其实现步骤为：第一步，在芯片表面上进行层间膜淀积；第二步，选择性刻蚀层间膜；第三步，进行金属膜淀积，在芯片的表面及上述层间膜上形成金属淀积层，并同时淀积一层氮化钛/钛薄膜；第四步，进行金属线刻蚀，选择性刻蚀淀积的氮化钛/钛薄膜层及金属层；第五步：进行第二次的层间膜淀积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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