[发明专利]烧断电路有效
| 申请号: | 200310103666.1 | 申请日: | 2003-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN1512582A | 公开(公告)日: | 2004-07-14 |
| 发明(设计)人: | 井上英和 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/822;G05F3/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马莹;邵亚丽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种烧断电路。该电路在晶体管导通时流过稳定的电流。在未进行烧断的情况下,在晶体管(Q1、Q4、Q7)中流过电流,不流过调整电流(I1、I2、I3)。另一方面,进行向烧断端子(PD1、PD2、PD3)施加规定的高压的烧断后,烧断晶体管(ZD1、ZD2、ZD3)被破坏、短路。由此,晶体管(Q1、Q4、Q7)截止,晶体管(Q2、Q5、Q8)导通,流过调整电流(I1、I2、I3)。这里,晶体管(Q2、Q5、Q8)被连接成二极管,所以它们的Vce为恒定值,它们的导通电阻不影响调整电流(I1、I2、I3)的大小,能够得到稳定的调整电流。 | ||
| 搜索关键词: | 断电 | ||
【主权项】:
1、一种烧断电路,具有:基准晶体管,流过决定恒流源的电流量的基准电流;调整电流晶体管,流过构成该基准晶体管中流过的基准电流的至少一部分的调整电流;电流量决定晶体管,被连接成二极管,与该调整电流晶体管构成电流镜,决定调整电流晶体管中流过的调整电流的大小;以及开关晶体管,与该电流量决定晶体管并联连接,在导通的情况下取代电流量决定晶体管而流过电流,切断电流量决定晶体管的电流;在截止的情况下使电流量决定晶体管流过电流;通过对烧断端子进行烧断操作而将上述开关晶体管设定为开或关,由此调整基准电流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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