[发明专利]具变换粒径的硅层结构以及通过热工艺形成此结构的方法有效
| 申请号： | 200310100568.2 | 申请日： | 2003-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1610131A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 黄致远;陈咏生 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具变换粒径的硅层的结构以及通过热工艺形成此结构的方法。简单来说，一硅层从一表面的多晶硅转变至相对表面的非晶硅。这种转变是单调的，而且不是连续性的就是突然从多晶硅转变成非晶硅。如果此层作为一浮置栅极晶体管结构的一浮置栅极，则较大晶粒的结构要邻接穿隧介电层，以降低尖端或突出物的形成，进而降低漏电。另一方面，较小晶粒的结构要邻接栅介电层，以产生一平滑且较均匀的栅介电层。这种多晶硅转非晶硅的晶体管可通过一温度分布制造，其中温度分布在浮置栅极沉积的启始有利于多晶硅的形成，并且在沉积期间转变温度到浮置栅极沉积的终止为有利于非晶硅的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 变换 粒径 结构 以及 通过 工艺 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具变换粒径的硅层的结构，其特征是，包括：一第一硅层，至少包括一第一与一第二表面，以及更包括从邻接该第一表面的一非晶硅区域转变至邻接该第二表面的一多晶硅区域的一结构；一第二层，邻接该第一硅层的该第一表面；以及一第三层，邻接该第一硅层的该第二表面，其中该第二层与该第三层中至少有一个包括一介电层。
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